Научная Библиотека Пермского Государственного Университета

   П. 2884

    Труды ФТИАН / РАН, Физико-технологический институт. - М. : Наука, 1991 - . - ISSN 0868-7129.
   Т. 24 : Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование / гл. ред. А. А. Орликовский ; отв. ред. Т. М. Махвиладзе. - 2014. - 263 с. : табл., рис. - Библиогр. в конце ст. - ISBN 978-5-02-039068-3 : Б. ц.
    Содержание:
Богданов, Ю. И. Моделирование многокубитовых квантовых систем на персональных компьютерах и суперкомпьютерах / Ю. И. Богданов [и др.]. - С .3 - 14
Другие авторы: Лукичев В. Ф., Орликовский А. А., Семенихин И. А., Чернявский А. Ю.
Кокин, А. А. Локальная парная запутанность квантовых состояний и магнитная тороидизация в одномерной антиферромагнитной XXZ цепочке спинов S=1/2в в неоднородном магнитном поле / А. А. Кокин. - С .15 - 36
Мельников, А. А. Квантовые блуждания идентичных частиц / А. А. Мельников, Л. Е. Федичкин. - С .37 - 47
Семенихин, И. А. Решение уравнений Максвелла итерационным методом собственных мод / И. А. Семенихин. - С .48 - 63
Цуканов, А. В. Алмазный квантовый чип с оптическим сетевым управлением / А. В. Цуканов [и др.]. - С .64 - 84
Другие авторы: Катеев И. Ю., Орликовский Н. А., Орликовский А. А.
Махвиладзе, Т. М. Деформационно-кинетическая модель пространственно-неоднородной преципитации кислорода в кремнии / Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев. - С .85 - 96
Аржанова, Н. А. Процессы самоорганизации при формировании объектов пониженной размерности анодированием кремния в растворах плавиковой кислоты / Н. А. Аржанова [и др.]. - С .97 - 136
Другие авторы: Можаев А. В., Прказников М. А., Проказников А. В.
Маишев, Ю. П. Разработка, исследование и применение в технологии микроэлектроники источников пучков быстрых нейтральных частиц / Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук, В. П. Кудря. - С .137 - 154
Брук, М. А. Новый метод формирования маскирующего изображения (рельефа) путем прямого электронно-лучевого травления резиста / М. А. Брук [и др.]. - С .155 - 162
Другие авторы: Жихарев Е. Н., Стрельцов Д. Р., Кальнов В. А., Спирин А. В.
Махвиладзе, Т. М. Термодинамический подход к моделированию влияния точечных дефектов на скорость роста трещин по границе раздела соединенных материалов / Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев. - С .163 - 173
Махвиладзе, Т. М. Электромиграционная неустойчивость поверхности проводящей пленки на подложке / Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев. - С .174 - 186
Уваров, И. В. Резонансные свойства наноразмерных металлических кантилеверов / И. В. Уваров [и др.]. - С .187 - 203
Другие авторы: Наумов В. В., Амиров И. И., Лукичев В. Ф.
Свинцов, Д. А. Многозатворные туннельные транзисторы с электрически индуцированными р-n - переходами / Д. А. Свинцов [и др.]. - С .204 - 210
Другие авторы: Чаплыгин Е. С., Вьюрков В. В., Орликовский А. А.
Рудый, А. С. К вопросу о неустойчивости стационарных вольт-амперных характеристик p-i-n - структур в сильных электрических полях / А. С. Рудый, В. С. Кузнецов, П. А. Кузнецов. - С .211 - 225
Бердников, А. Е. Элементы памяти на эффекте переключения проводимости в МДП структурах со встроенными наноразмерными кластерами кремния в диэлектрических слоях / А. Е. Бердников [и др.]. - С .226 - 243
Другие авторы: Гусев В. Н., Мироненко А. А., Попов А. А., Перминов А. В., Рудый А. С., Черномордик В. Д.
Трушин, О. С. Особенности магнитного переключения ячеек памяти TAS MRAM / О. С. Трушин, Н. И. Барабанова. - С .244 - 251
Мищенко, И. Н. Сравнительный анализ мессбауэровских спектров тяжелофермионного соединения CePdSn в релаксационных моделях магнитной динамики / И. Н. Мищенко [и др.]. - С .252 - 261
Другие авторы: Чуев М. А., Черепанов В. М., Поликарпов М. А.

УДК

621.38

Рубрики: электроника - сборники
Кл.слова (ненормированные):
квантовые компьютеры -- микроэлектроника -- наноэлектроника
Аннотация: Сборник посвящен проблемам информационных технологий, микро- и наноэлектроники. Рассмотрены актуальные вопросы проектирования и реализации квантовых компьютеров, современные аспекты квантовых методов обработки информации. Большое внимание уделено актуальным проблемам развития теоретических основ и практических методов создания нано- и микроэлектронных структур, процессам их функционирования, надежности и диагностики. Рассмотренные проблемы относятся, в частности, к исследованию кислородной преципитации в кремнии, формированию пористых микрокластеров в кристаллах и микрорельефов методом прямого электронно-лучевого травления, свойствам интерфейсов в наноэлектронике и их адгезионной прочности, проблеме электромиграционной устойчивости элементов металлизации, мессбауэровской наноспектроскопии. Изучены новые перспективные методы создания ячеек памяти, включая термически активируемую MRAM. Представлен детальный анализ электрофизических свойств полупроводниковых гетероструктур в нанотранзисторной электронике. Для специалистов в области микро- и наноэлектроники, аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.

Доп.точки доступа:
Орликовский, А. А. \гл. ред.\; Махвиладзе, Т. М. \отв. ред.\; Семенихин, И. А.; Чернявский, А. Ю.; Орликовский, А. А.; Проказников, А. В.; Кальнов, В. А.; Спирин, А. В.; Лукичев, В. Ф.; Попов, А. А.; Перминов, А. В.; Рудый, А. С.; Черномордик, В. Д.; Поликарпов, М. А.; Российская академия наук; Физико-технологический институт
Экземпляры всего: 1
ОПЛ (1)
Свободны: ОПЛ (1)
Найти похожие

   П. 751
   Т 782

    Труды Воронежского Государственного университета / Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР, Воронежский государственный университет. - Воронеж : Издательство Воронежского университета.
   Т. 74 : Полупроводниковые материалы и их применение. - 1971. - 116 с. - ). - 0.00
    Содержание:
Угай, Я. А. Полупроводниковые материалы и микроэлектроника / Я. А. Угай. - С .3
Угай, Я. А. К вопросу исследования системы Zn-Sb / Я. А. Угай, Т. А. Маршакова. - С .7
Гуков, О. Я. Выращивание дифосфида цинка из газовой фазы / О. Я. Гуков, В. Р. Пшестанчик. - С .11
Гуков, О. Я. Получение дифосфида меди прямым синтезом / О. Я. Гуков, В. Р. Пшестанчик. - С .16
Алейникова, К. Б. О структуре интерметаллических соединений в системах Cd-Sb и Zn-Sb / К. Б. Алейникова, Н. А. Игнатьев. - С .21
Соколов, Л. И. Исследование диаграммы состояния системы Si-InP / Л. И. Соколов, Е. Г. Гончаров. - С .26
Угай, Я. А. Взаимодействие в системе InP+As=InAs+P / Я. А. Угай, С. Н. Муравьева. - С .29
Угай, Я. А. Взаимодействие двуокисей кремния и олова с некоторыми металлами / Я. А. Угай, В. З. Анохин. - С .34
Угай, Я. А. Выявление нарушенного слоя на германии методом циклического травления / Я. А. Угай, И. В. Кириченко. - С .39
Угай, Я. А. Оптические свойства бора / Я. А. Угай, Н. Е. Соловьев. - С .49
Угай, Я. А. Методы исследования диаграмм на основе кремния с малым содержанием легирующих компонентов / Я. А. Угай, С. Н. Мирошниченко. - С .54
Угай, Я. А. Влияние термообработки в парах сурьмы на свойства антимонида галлия / Я. А. Угай, Г. П. Белоусова. - С .62
Сыноров, В. Ф. Некоторые свойства тонких пленок нитридов V, Ti, Ta и Nb / В. Ф. Сыноров, В. В. Крячко. - С .65
Зюбина, Т. А. О режиме диффузии в арсенид галлия из арсенидов цинка / Т. А. Зюбина, В. П. Милонов. - С .69
Завальский, Ю. П. Рост поликристаллического кремния на поверхности аморфных пленок SiO2 и SiC / Ю. П. Завальский, Т. Д. Найденова. - С .72
Завальский, Ю. П. Механизм газового травления поверхности кремния парами соляной кислоты / Ю. П. Завальский, К. И. Шапошник. - С .77
Завальский, Ю. П. Влияние градиентов температуры и концентрации на скорость роста поликристаллического слоя кремния в эпитаксиальном реакторе горизонтального типа / Ю. П. Завальский, Т. Д. Найденова. - С .84
Завальский, Ю. П. Селективный эпитаксиальный рост кремния / Ю. П. Завальский, Н. Г. Яценко. - С .94
Завальский, Ю. П. Травление кремния безводным хлористым водородом / Ю. П. Завальский, Н. Г. Яценко. - С .100
Завальский, Ю. П. Механизм образования и структура пленок карбида кремния на кремний / Ю. П. Завальский, Н. Г. Яценко. - С .106
Рефераты . - С .113
Рубрики: Химия
   Физика
Кл.слова (ненормированные):
материалы полупроводниковые (применение)

Доп.точки доступа:
Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР; Воронежский государственный университет
Экземпляры всего: 1
ОПЛ (1)
Свободны: ОПЛ (1)
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика обращений

Статистика за 05.07.2024
Число запросов	57211
Число посетителей	445
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)