Главная Упрощенный режим

Базы данных


Продолжающиеся издания - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Основная библиотечная БД (52)Труды учёных ПГНИУ (2)Журналы (1)Библиотека юридичеcкого факультета (статьи) (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=наноэлектроника<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : П. 2884
Заглавие : Труды ФТИАН/ РАН, Физико-технологический институт. Т. 24: Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование
Выходные данные : М.: Наука, 2014
Колич.характеристики :263 с.: табл., рис.
Коллективы : Российская академия наук, Физико-технологический институт
Примечания : Библиогр. в конце ст.
ISSN: 0868-7129
ISBN, Цена 978-5-02-039068-3: Б.ц.
УДК : 621.38
Предметные рубрики: электроника - сборники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): квантовые компьютеры--микроэлектроника--наноэлектроника
Содержание : Моделирование многокубитовых квантовых систем на персональных компьютерах и суперкомпьютерах/ Ю. И. Богданов [и др.]. Локальная парная запутанность квантовых состояний и магнитная тороидизация в одномерной антиферромагнитной XXZ цепочке спинов S=1/2в в неоднородном магнитном поле/ А. А. Кокин. Квантовые блуждания идентичных частиц/ А. А. Мельников, Л. Е. Федичкин. Решение уравнений Максвелла итерационным методом собственных мод/ И. А. Семенихин. Алмазный квантовый чип с оптическим сетевым управлением/ А. В. Цуканов [и др.]. Деформационно-кинетическая модель пространственно-неоднородной преципитации кислорода в кремнии/ Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев. Процессы самоорганизации при формировании объектов пониженной размерности анодированием кремния в растворах плавиковой кислоты/ Н. А. Аржанова [и др.]. Разработка, исследование и применение в технологии микроэлектроники источников пучков быстрых нейтральных частиц/ Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук, В. П. Кудря. Новый метод формирования маскирующего изображения (рельефа) путем прямого электронно-лучевого травления резиста/ М. А. Брук [и др.]. Термодинамический подход к моделированию влияния точечных дефектов на скорость роста трещин по границе раздела соединенных материалов/ Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев. Электромиграционная неустойчивость поверхности проводящей пленки на подложке/ Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев. Резонансные свойства наноразмерных металлических кантилеверов/ И. В. Уваров [и др.]. Многозатворные туннельные транзисторы с электрически индуцированными р-n - переходами/ Д. А. Свинцов [и др.]. К вопросу о неустойчивости стационарных вольт-амперных характеристик p-i-n - структур в сильных электрических полях/ А. С. Рудый, В. С. Кузнецов, П. А. Кузнецов. Элементы памяти на эффекте переключения проводимости в МДП структурах со встроенными наноразмерными кластерами кремния в диэлектрических слоях/ А. Е. Бердников [и др.]. Особенности магнитного переключения ячеек памяти TAS MRAM/ О. С. Трушин, Н. И. Барабанова. Сравнительный анализ мессбауэровских спектров тяжелофермионного соединения CePdSn в релаксационных моделях магнитной динамики/ И. Н. Мищенко [и др.].
Аннотация: Сборник посвящен проблемам информационных технологий, микро- и наноэлектроники. Рассмотрены актуальные вопросы проектирования и реализации квантовых компьютеров, современные аспекты квантовых методов обработки информации. Большое внимание уделено актуальным проблемам развития теоретических основ и практических методов создания нано- и микроэлектронных структур, процессам их функционирования, надежности и диагностики. Рассмотренные проблемы относятся, в частности, к исследованию кислородной преципитации в кремнии, формированию пористых микрокластеров в кристаллах и микрорельефов методом прямого электронно-лучевого травления, свойствам интерфейсов в наноэлектронике и их адгезионной прочности, проблеме электромиграционной устойчивости элементов металлизации, мессбауэровской наноспектроскопии. Изучены новые перспективные методы создания ячеек памяти, включая термически активируемую MRAM. Представлен детальный анализ электрофизических свойств полупроводниковых гетероструктур в нанотранзисторной электронике. Для специалистов в области микро- и наноэлектроники, аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.
Экземпляры :ОПЛ(1)
Свободны : ОПЛ(1)
Найти похожие
 
Статистика
за 15.08.2024
Число запросов 10978
Число посетителей 508
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)