539.107 Исследование влияния кислородного индекса мишени на критические характеристики эпитаксиальных слоев YBa[2] Cu[3] O[x], сформированных методом импульсного лазерного осаждения [Текст] / И. А. Черных [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 1. - С. 58-63 : ил. - Библиогр.: с. 62-63 (11 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура ядерной физики Кл.слова (ненормированные): мишени -- кислородный индекс -- эпитаксиальные слои -- радиационный нагрев -- рост покрытий -- покрытия -- метод импульсного лазерного осаждения -- лазеры -- катионы -- ВТСП Аннотация: Исследовано влияние радиационного нагрева поверхности мишени в процессе роста покрытий ВТСП методом импульсного лазерного осаждения на кислородный индекс мишени ВТСП. Продемонстрировано, что кислородный индекс мишени ВТСП в процессе роста меняется в диапазоне 6. 85-6. 12. Показано, что кислородный индекс покрытий ВТСП, сформированных методом импульсного лазерного осаждения, не зависит от кислородного индекса распыляемой мишени при одинаковом катионном составе. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/01/p58-63.pdf Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Черных, И. А.; Строев, А. М.; Гараева, М. Я.; Крылова, Т. С.; Гурьев, В. В.; Шавкин, С. В.; Занавескин, М. Л.; Шиков, А. К.; Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (Москва); Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (Москва); Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (Москва); Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (Москва); Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (Москва); Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (Москва); Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (Москва); Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (Москва) |
539.2 Эпитаксиальный карбид кремния на 6-дюймовой пластине кремния [Текст] / С. А. Кукушкин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 1. - С. 71-79 : ил. - Библиогр.: с. 78-79 (20 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- пленки -- кремниевые пластины -- твердофазная эпитаксия -- вращение -- спектральная эллипсометрия -- SEM-микроскопия -- рентгеновская дифракция -- метод комбинационного рассеяния -- эпитаксиальные слои -- кривые качания -- темплейты -- выращивание пленок -- полупроводники -- комбинационное рассеяние Аннотация: Представлены результаты по выращиванию пленок карбида кремния на кремниевых пластинах большого диаметра 150 mm (6 дюймов) новым методом твердофазной эпитаксии. Выращенные пленки SiC на пластинах Si были исследованы с помощью спектральной эллипсометрии, SEM-микроскопии, рентгеновской дифракции и метода комбинационного (рамановского) рассеяния. Исследования показали, что слои SiC являются эпитаксиальными по всей поверхности 150-mm пластины. Пластины не напряжены, ровны, без изгибов. Полуширина рентгеновской кривой качания (FWH[Momega-theta]) пластин варьируется в пределах от 0. 7{o} до 0. 8{o} при толщине слоя 80-100 nm. Пластины пригодны для использования в качестве темплейтов для выращивания на их поверхности толстых пленок SiC, AlN, GaN, ZnO и других широкозонных полупроводников стандартными методами CVD, HVPE и MBE. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/01/p71-79.pdf Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Кукушкин, С. А.; Лукьянов, А. В.; Осипов, А. В.; Феоктистов, Н. А. |
539.21:537 Рамазанов, Ш. М. Релаксирующие слои карбида кремния на кремниевой подложке, выращенные магнетронным распылением [Текст] / Ш. М. Рамазанов, Г. М. Рамазанов // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 1. - С. 88-94 : ил. - Библиогр.: с. 94 (13 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные слои -- магнетронное распыление -- карбид кремния -- политипы -- подложки -- структурные соотношения -- метод рентгеновской дифракции -- комбинированное рассеяние света -- атомно-силовая микроскопия -- кристаллические структуры -- морфология поверхностей -- гетероструктуры -- пленки -- ионизированные частицы Аннотация: Магнетронным распылением получены эпитаксиальные слои карбида кремния 3C-политипа на подложках Si (111) структурного совершенства с omega[theta] равно 1. 4 °. Методами рентгеновской дифракции, комбинационного рассеивания света и атомно-силовой микроскопии исследована кристаллическая структура и морфология поверхностей 3C-SiC/Si (111) гетероструктур в зависимости от толщины пленок. Замечено, что при магнетронном распылении дополнительная энергия ионизированных частиц, привносимая к подложке Si (111), способствует формированию сильных C-C и beta-SiC связей, что затрудняет пересечение границы зерен дислокациями с увеличением времени роста. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/01/p88-94.pdf Держатели документа: ГПНТБ России |