Главная Упрощенный режим

Базы данных


Журналы - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Труды учёных ПГНИУ (684)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=536.22/.23<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.
536.22/.23

    Чиннов, Е. А.

    Термокапиллярные неустойчивости в стекающей пленке жидкости при малых числах Рейнольдса [Текст] / Е. А. Чиннов, Е. Н. Шатский // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 1. - С. 16-23 : ил. - Библиогр.: с. 22-23 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.365
Рубрики: Физика
   Газы и жидкости

Кл.слова (ненормированные):
жидкости -- пленки -- жидкие пленки -- термокапиллярная неустойчивость -- стекающие пленки -- инфракрасные камеры -- термокапиллярные структуры -- глицерин -- водные растворы -- нагрев -- струйные течения -- температура -- внешние возмущения -- числа Рейнольдса -- Рейнольдса числа
Аннотация: С использованием скоростной инфракрасной камеры выполнено экспериментальное исследование формирования термокапиллярных структур на поверхности вертикально стекающей пленки 68-го раствора глицерина в воде при различных условиях на поверхности нагрева. Установлено, что существенное влияние на формирование струйных течений оказывает продольный градиент температуры. Показано, что воздействие внешних возмущений осуществляет переход между структурами различных типов.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/01/p16-23.pdf
Держатели документа:
ГПНТБ России

Доп.точки доступа:
Институт теплофизики (Новосибирск); Институт теплофизики (Новосибирск)

Найти похожие
2.
536.22/.23

   

    Ионизация серы в газовой фазе электронным ударом [Текст] / А. Н. Завилопуло [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 1. - С. 29-36 : ил. - Библиогр.: с. 36 (10 назв.) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.365
Рубрики: Физика
   Газы и жидкости

Кл.слова (ненормированные):
газовые фазы -- сера -- ионизация -- электронный удар -- положительные ионы -- выход ионов -- результаты исследований -- диссоциативная ионизация -- молекулы -- энергия -- молекулярные ионы -- температурные интервалы -- энергетические зависимости -- сечение ионизации -- моноэнергетичные электронные пучки
Аннотация: Описаны методика и результаты исследования выхода положительных ионов, образованных в результате диссоциативной ионизации электронным ударом серы. Из кривых эффективности ионизации получены энергия ионизации основной молекулы и энергии появления фрагментных ионов. Исследована динамика образования молекулярных ионов среды в интервале температур 300-670 K. Проанализированы энергетические зависимости эффективности образования ионов S[n] для n равно 1-6 и определены энергии появления. Получено полное сечение ионизации серы моноэнергетичным электронным пучком.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/01/p29-36.pdf
Держатели документа:
ГПНТБ России

Доп.точки доступа:
Завилопуло, А. Н.; Шпеник, О. Б.; Маркуш, П. П.; Микита, М. И.; Институт электронной физики НАН Украины (Ужгород); Институт электронной физики НАН Украины (Ужгород); Институт электронной физики НАН Украины (Ужгород); Институт электронной физики НАН Украины (Ужгород)

Найти похожие
3.
536.22/.23

    Рожавская, М. М.

    Синтез светодиодной структуры на гранях (11V bar01620) и (0001) мезаполосков, выращенных методом селективной эпитаксии [Текст] / М. М. Рожавская, В. В. Лундин, А. В. Сахаров // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 1. - С. 37-42 : ил. - Библиогр.: с. 42 (5 назв.) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.365
Рубрики: Физика
   Газы и жидкости

Кл.слова (ненормированные):
светодиодные устройства -- светодиодные структуры -- синтез -- мезополоски -- метод селективной эпитаксии -- мезаполосковые структуры -- прямоугольные сечения -- квантовые ямы -- светодиоды -- селективная эпитаксия
Аннотация: Исследовано влияние типа несущего газа на характер формирования слоев p-GaN на гранях (0001), (1120) и (1122) мезаполосковой структуры, сформированной с использованием метода селективной эпитаксии. На гранях (0001) и (1120) мезаполосковой структуры прямоугольного сечения сформирована светодиодная структура с активной областью на основе квантовых ям InGaN/GaN. Созданы прототипы светодиодов на свободных полосках GaN, отделенных от подложки.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/01/p37-42.pdf
Держатели документа:
ГПНТБ России

Доп.точки доступа:
Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)

Найти похожие
4.
536.22/.23

    Зинченко, С. П.

    Особенности роста пленок в тлеющем разряде с убегающими электронами [Текст] / С. П. Зинченко, А. П. Ковтун, Г. Н. Толмачев // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 1. - С. 43-49 : ил. - Библиогр.: с. 49 (7 назв.) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.365
Рубрики: Физика
   Газы и жидкости

Кл.слова (ненормированные):
пленки -- тлеющие разряды -- убегающие электроны -- напыление -- оптическое излучение -- интенсивность излучения -- рост пленок -- двухслойные модели -- поверхности -- поверхностные слои -- оптические однородности
Аннотация: При напылении пленок в газовом разряде с пучком убегающих электронов впервые обнаружено аномальное поведение интенсивности отраженного от пленки на подложке зондирующего оптического излучения после выключения разряда. Интерпретация этого явления дается в рамках двухслойной модели роста пленки на подложке: в ходе напыления на поверхности пленки образуется оптически однородный поверхностный слой неизвестной природы, который полностью распадается после выключения разряда.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/01/p43-49.pdf
Держатели документа:
ГПНТБ России

Доп.точки доступа:
Ковтун, А. П.; Толмачев, Г. Н.

Найти похожие
5.
536.22/.23

   

    Экспериментальное исследование ускоренных ионно-кластерных пучков аргона [Текст] / Н. Г. Коробейщиков [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 1. - С. 50-57 : ил. - Библиогр.: с. 56-57 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.365
Рубрики: Физика
   Газы и жидкости

Кл.слова (ненормированные):
аргон -- ионно-кластерная модификация -- лабораторные стенды -- газофазные пучки -- кластеры аргона -- энергия пучков -- интенсивность пучков -- ионы -- распределение ионов -- условия формирования
Аннотация: С целью разработки лабораторного стенда для ионно-кластерной модификации материалов выполнены экспериментальные исследования формирования ускоренных газофазных пучков аргона. Получены ускоренные пучки кластеров аргона с энергией до 22 keV и интенсивностью до 6 · 10{13} ions/ (cm{2} · s) при среднем размере кластерных ионов до 1013 atoms/cluster. Методом задерживающего потенциала исследованы распределения ионов по размерам в ускоренном ионно-кластерном пучке при различных давлениях торможения. Показано, что массовый состав ионно-кластерного пучка зависит от условий формирования ионного пучка.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/01/p50-57.pdf
Держатели документа:
ГПНТБ России

Доп.точки доступа:
Коробейщиков, Н. Г.; Каляда, В. В.; Шмаков, А. А.; Шульженко, Г. И.

Найти похожие
 
Статистика
за 02.06.2024
Число запросов 15850
Число посетителей 1155
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)