Главная Упрощенный режим

Базы данных


Журналы - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Основная библиотечная БД (412)Труды учёных ПГНИУ (212)Продолжающиеся издания (6)Музейный книжный фонд (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Кристаллография<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.

Вид документа : Журнал
Шифр издания : П.4022
Заглавие : Кристаллография
Выходные данные : , 1957
ISSN: 0023-4761
Зарегистрированы поступления :
2009г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) т.54; N :1-3;
2008г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
2007г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
2006г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
2005г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
2004г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
2003г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
2002г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
2001г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
2000г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :4-6;
1998г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1997г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1996г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1995г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1994г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1993г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1992г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1990г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1989г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1988г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1987г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1986г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1985г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1984г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1983г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1982г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1981г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1980г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1979г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1978г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1977г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1976г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1975г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1974г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1973г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1972г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1971г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1970г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1969г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1968г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1967г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1966г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :3,5,6;
1965г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1964г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1963г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1962г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1961г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1960г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1959г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1958г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6;
1957г. экз.1; (Химический факультет, к. 6, ауд., 201а) N :1-6
Издание можно найти в:
ОПЛ;
Найти похожие
2.

Заглавие журнала :Успехи физических наук -2011г. т.181,N 7
Интересные статьи :
Молодкин В. Б. Многопараметрическая кристаллография на основе многообразности картины многократного рассеяния брэгговских и диффузных волн (метод стоячих диффузных волн)/ В. Б. Молодкин [и др.] (стр.681-712)
Смирнов Б. М. Процессы с участием кластеров и малых частиц в буферном газе/ Б. М. Смирнов (стр.713-745)
Ерошенко Ю. Н. Новости физики в Internet/ сост. Ю. Н. Ерошенко (стр.746)
Трифонов Е. Д. По поводу квантовых статистик для ансамблей с конечным числом частиц/ Е. Д. Трифонов (стр.747-752)
Эконофизика и эволюционная экономика (Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук, 2 ноября 2010 г.) (стр.753)
Маевский В. И. Переход от простого воспроизводства к экономическому росту/ В. И. Маевский, С. Ю. Малков (стр.753-757)
Юданов А. Ю. Быстрорастущие фирмы в России: экспериментальные данные и перспективы эконофизического моделирования модернизации экономики/ А. Ю. Юданов (стр.758-761)
Поспелов И. Г. Равновесные модели экономики в период мирового финансового кризиса/ И. Г. Поспелов (стр.762-766)
Чернавский Д. С. Об эконофизике и ее месте в современной теоретической экономике/ Д. С. Чернавский [и др.] (стр.767-773)
Видов П. В. Неклассические случайные блуждания и феноменология флуктуаций доходности ценных бумаг на фондовом рынке/ П. В. Видов, М. Ю. Романовский (стр.774-778)
Дубовиков М. М. Эконофизика и фрактальный анализ финансовых временных рядов/ М. М. Дубовиков, Н. В. Старченко (стр.779-786)
Розанов Н. Н. Достижима ли идеальная невидимость даже при монохроматическом излучении?/ Н. Н. Розанов (стр.787-788)
Николай Сергеевич Диканский (к 70-летию со дня рождения) (стр.789)
Интересные статьи :
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tkachenko M. V., Ol’khovik L. P., Камзин А. С., Keshri S.,
Заглавие : Биокерамика на основе фосфата кальция и гексагонального феррита типа М для многофункциональных медицинских применений / M. V. Tkachenko, L. P. Ol’khovik, А. С. Камзин, S. Keshri
Место публикации : Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 1. - С. С. 9-15: ил. - ISSN 0320-0116
Примечания : Библиогр.: с. 15 (14 назв.)
УДК : 539.2
ББК : 22.37. Таблицы для массовых библиотек
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фосфат кальция--биокерамика--гексаферриты--гексагональные ферриты--синтезированная керамика--биологически активная керамика--карбонизированный гидроксилапатит--матрицы--магнитные характеристики
Аннотация: Синтезирован и исследован ряд магнитной биологически активной керамики на основе фосфата кальция, содержание частиц гексагонального феррита (ГФ) тип М в котором варьировалось от 10 до 50 wt. %. Установлено, что синтезированная керамика состоит из биосовместимого карбонизированного гидроксилапатита (КГА), в матрицу которого внедрены частицы ГФ типа М, благодаря которым магнитные характеристики синтезированной биокерамики существенно выше, чем у используемых в медицине биостеклокерамик на оксидах железа.
Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/01/p9-15.pdf
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кукушкин С. А., Лукьянов А. В., Осипов А. В., Феоктистов Н. А.,
Заглавие : Эпитаксиальный карбид кремния на 6-дюймовой пластине кремния / С. А. Кукушкин, А. В. Лукьянов, А. В. Осипов, Н. А. Феоктистов
Место публикации : Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 1. - С. С. 71-79: ил. - ISSN 0320-0116
Примечания : Библиогр.: с. 78-79 (20 назв.)
УДК : 539.2
ББК : 22.37. Таблицы для массовых библиотек
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид кремния--пленки--кремниевые пластины--твердофазная эпитаксия--вращение--спектральная эллипсометрия--sem-микроскопия--рентгеновская дифракция--метод комбинационного рассеяния--эпитаксиальные слои--кривые качания--темплейты--выращивание пленок--полупроводники--комбинационное рассеяние
Аннотация: Представлены результаты по выращиванию пленок карбида кремния на кремниевых пластинах большого диаметра 150 mm (6 дюймов) новым методом твердофазной эпитаксии. Выращенные пленки SiC на пластинах Si были исследованы с помощью спектральной эллипсометрии, SEM-микроскопии, рентгеновской дифракции и метода комбинационного (рамановского) рассеяния. Исследования показали, что слои SiC являются эпитаксиальными по всей поверхности 150-mm пластины. Пластины не напряжены, ровны, без изгибов. Полуширина рентгеновской кривой качания (FWH[Momega-theta]) пластин варьируется в пределах от 0. 7{o} до 0. 8{o} при толщине слоя 80-100 nm. Пластины пригодны для использования в качестве темплейтов для выращивания на их поверхности толстых пленок SiC, AlN, GaN, ZnO и других широкозонных полупроводников стандартными методами CVD, HVPE и MBE.
Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/01/p71-79.pdf
Найти похожие
 
Статистика
за 02.07.2024
Число запросов 55969
Число посетителей 435
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)