Научная Библиотека Пермского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Базы данных

Журналы - результаты поиска

Вид поиска

Основная библиотечная БД

Труды учёных ПГНИУ

Диссертации

Журналы

Рациональное природопользование

Иностранная периодика

Дореволюционная периодика

Библиотека юридичеcкого факультета (статьи)

Туризм

История Пермского университета

Продолжающиеся издания

Музейный книжный фонд

Область поиска

Найдено в других БД:

Основная библиотечная БД (10)

Диссертации (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>K=Комбинационное рассеяние<.>)

Общее количество найденных документов : 1

539.2

Эпитаксиальный карбид кремния на 6-дюймовой пластине кремния [Текст] / С. А. Кукушкин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 1. - С. 71-79 : ил. - Библиогр.: с. 78-79 (20 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- пленки -- кремниевые пластины -- твердофазная эпитаксия -- вращение -- спектральная эллипсометрия -- SEM-микроскопия -- рентгеновская дифракция -- метод комбинационного рассеяния -- эпитаксиальные слои -- кривые качания -- темплейты -- выращивание пленок -- полупроводники -- комбинационное рассеяние
Аннотация: Представлены результаты по выращиванию пленок карбида кремния на кремниевых пластинах большого диаметра 150 mm (6 дюймов) новым методом твердофазной эпитаксии. Выращенные пленки SiC на пластинах Si были исследованы с помощью спектральной эллипсометрии, SEM-микроскопии, рентгеновской дифракции и метода комбинационного (рамановского) рассеяния. Исследования показали, что слои SiC являются эпитаксиальными по всей поверхности 150-mm пластины. Пластины не напряжены, ровны, без изгибов. Полуширина рентгеновской кривой качания (FWH[Momega-theta]) пластин варьируется в пределах от 0. 7{o} до 0. 8{o} при толщине слоя 80-100 nm. Пластины пригодны для использования в качестве темплейтов для выращивания на их поверхности толстых пленок SiC, AlN, GaN, ZnO и других широкозонных полупроводников стандартными методами CVD, HVPE и MBE.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/01/p71-79.pdf
Держатели документа:
ГПНТБ России

Доп.точки доступа:
Кукушкин, С. А.; Лукьянов, А. В.; Осипов, А. В.; Феоктистов, Н. А.

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика обращений

Статистика за 05.07.2024
Число запросов	9447
Число посетителей	367
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)