1558863 Цырендоржиева, И. П. Новые реакции ацилиодидов с азотсодержащими органическими и Si-функциональными кремнийорганическими соединениями : автореферат дис. ... канд. хим. наук : 02.00.08 / И. П. Цырендоржиева ; Иркут. ин-т химии им. А. Е. Фаворского СО РАН. - Иркутск, 2009. - 18 с. Кл.слова (ненормированные): АЦИЛИОДИДОВ НОВЫЕ РЕАКЦИИ -- АЗОТСОДЕРЖАЩИЕ ОРГАНИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ -- SI-ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ -- АМИНОСИЛАНЫ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА -- НАНОКРИСТАЛЛЫ (СИНТЕЗ) Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
32819 Кузнецов, Ф. А. Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники [Текст] / Кузнецов Ф. А. - Новосибирск : Сибирское отделение РАН, 2013. - 176 с. - ISBN 978-5-7692-1272-7 : Б. ц. Книга находится в Премиум-версии ЭБС IPRbooks.
Кл.слова (ненормированные): наноэлектроника -- химическое осаждение -- химия твердого тела Аннотация: В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании MO CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Cu, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе HfO2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики). Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся химией твердого тела, микроэлектроникой и технологией материалов электронной техники. Перейти: Перейти к просмотру издания Доп.точки доступа: Воронков, М. Г.; Борисов, В. О.; Игуменов, И. К.; Каичев, В. В.; Кеслер, В. Г.; Кириенко, В. В.; Кичай, В. Н.; Косинова, М. Л.; Кривенцев, В. В.; Лебедев, М. С.; Лис, А. В.; Морозова, Н. Б.; Никулина, Л. Д.; Рахлин, В. И.; Румянцев, Ю. М.; Смирнова, Т. П.; Суляева, В. С.; Сысоев, С. В.; Титов, А. А.; Файнер, Н. И.; Цырендоржиева, И. П.; Чернявский, Л. И.; Яковкина, Л. В.; Смирнова, Т. П. \ред.\ Свободных экз. нет |