539 С 387 Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников / АН СССР, Институт физики ; ред. Л. Н. Александров. - Новосибирск : Наука, 1981. - 232 с. - 3.10 р.
Кл.слова (ненормированные): Полупроводниковые пленки -- Кристаллы Доп.точки доступа: Александров, Л. Н. \ред.\; АН СССРИнститут физики Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
548 П 845 Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок : материалы симпозиума: в 2-х ч. / Академия наук СССР; ред.: Л. Н. Александров, Ф. А. Кузнецов. - Новосибирск : Наука, 1975 - . Ч. 1. - 1975. - 268 с. : ил. - ). - Библиогр. в конце ст. - 1.93 р.
Кл.слова (ненормированные): Полупроводники -- Полупроводниковые пленки Доп.точки доступа: Александров, Л. Н. \ред.\; Кузнецов, Ф. А. \ред.\; Академия наук СССР Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
548 П 845 Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок : материалы симпозиума: в 2-х ч. / Академия наук СССР; ред.: Л. Н. Александров, Ф. А. Кузнецов. - Новосибирск : Наука, 1975 - . Ч. 2. - 1975. - 438 с. : ил. - ). - Библиогр. в конце ст. - 3.02 р.
Кл.слова (ненормированные): Полупроводники -- Полупроводниковые пленки Доп.точки доступа: Александров, Л. Н. \ред.\; Кузнецов, Ф. А. \ред.\; Академия наук СССР Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
621.3 М 744 Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло / Л. Н. Александров [и др.] ; ред. С. И. Стенин ; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск : Наука , 1991. - 167 с. - Библиогр.: с. 151-162. - Указ.: с. 163-166 . - ISBN 5-02-029696-1 : 3.82 р., 3.82 р.
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКИ (КРИСТАЛЛЫ) -- ПОЛУПРОВОДНИКИ (СТАТИСТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИЗУЧЕНИЯ) -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ (ПОЛУЧЕНИЕ) Доп.точки доступа: Александров, Л. Н.; Бочкова, Р. В.; Коган, А. Н.; Тихонов, Н. П.; Стенин, С. И. \ред.\; Академия наук СССР. Сибирское отделение; Институт физики полупроводников Экземпляры всего: 2 Х (1), АБН (1) Свободны: Х (1), АБН (1) |
669 А 465 Александров, Л. Н. Внутреннее трение и физические свойства тугоплавких металлов / Л. Н. Александров, В. С. Мордюк. - Саранск : Мордовское книжное издательство, 1965. - 251 с. - 1.21 р.
Кл.слова (ненормированные): ТУГОПЛАВКИЕ МЕТАЛЛЫ -- ЖАРОПРОЧНЫЕ стали Доп.точки доступа: Мордюк, В. С. Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
621.3 Р 780 Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок : материалы симпозиума: в 2-х частях / Академия наук СССР , Сибирское отделение, Институт физики полупроводников, Всесоюзный симпозиум по процессам синтеза и роста кристаллов и пленок полупроводников, 4-й. (Новосибирск) (1975); отв. ред. Л. Н. Александров. - Новосибирск : Наука , 1977 - . Ч. 2. - 1977. - 357 с. - ). - Библиогр. в конце докл. - 3.60 р.
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ (ПОЛУЧЕНИЕ) Доп.точки доступа: Александров, Л. Н. \отв. ред.\; Академия наук СССР . Сибирское отделениеИнститут физики полупроводников; Всесоюзный симпозиум по процессам синтеза и роста кристаллов и пленок полупроводников, 4-й.(Новосибирск)(1975) Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
621.3 Р 780 Рост полупроводниковых кристаллов и пленок : материалы конференции, июнь 1982 г. / Академия наук СССР , Сибирское отделение, Институт физики полупроводников, Институт неорганической химии. - Новосибирск : Наука , 1984 - . Ч. 1 : Молекулярная, лазерная эпитаксия. Распределение примесей и дефектов / ред. Л. Н. Александров. - 1984. - 157 с. - Библиогр. в конце докл. - 1.80 р.
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ (ПОЛУЧЕНИЕ) -- ПОЛУПРОВОДНИКИ - КРИСТАЛЛЫ - РОСТ Доп.точки доступа: Александров, Л. Н. \ред.\; Академия наук СССР . Сибирское отделениеИнститут физики полупроводников; Институт неорганической химии Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
342 Д 279 Действительно народная ... / Л. Н. Александров, А. Г. Асаулова, С. В. Биленко. - Москва : Юридическая литература , 1977. - 398 с. - 03.00 р.
Кл.слова (ненормированные): МИЛИЦИЯ В СССР (история) Доп.точки доступа: Александров, Л. Н.; Асаулова, А. Г.; Биленко, С. В. Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |