621.38 Н 254 Наноэлектроника / [К. А. Валиев [и др.]. - Москва : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2009 - . - (Электроника в техническом университете : Прикладная электроника / под общ. ред. И. Б. Федорова). Ч. 1 : Введение в наноэлектронику / ред. А. А. Орликовский. - 2009. - 719 с. : ил., табл. - Библиогр.: с. 714. - ISBN 978-5-7038-3392-6 : 350 р.
Кл.слова (ненормированные): ТВЕРДОГО ТЕЛА ТЕОРИЯ -- ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ (ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА) -- ТВЕРДОЕ ТЕЛО (СТРУКТУРА) -- КВАНТОВЫЕ СОСТОЯНИЯ -- ХОЛЛА КВАНТОВЫЙ ЭФФЕКТ -- КВАНТОВЫЕ КОМПЬЮТЕРЫ Доп.точки доступа: Валиев, Камиль Ахметович; Вьюрков, Владимир Владимирович; Гридчин, Виктор Алексеевич; Орликовский, Александр Александрович; Протасов, Юрий Степанович; Драгунов, Валерий Павлович; Кокин, Александр Александрович; Неизвестный, Игорь Григорьевич; Семенихин, Игорь Александрович; Орликовский, А. А. \ред.\ Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
621.38 Б 825 Борисенко, Виктор Евгеньевич. Наноэлектроника : учебное пособие для студентов высших учебных заведений по специальностям "Микро- и наноэлектронные технологии и системы" и "Квантовые информационные системы" / В.Е. Борисенко, А.И. Воробьева, Е.А. Уткина. - Москва : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. - 223 с. : ил ; 23. - (Нанотехнологии). - Библиогр. в конце ч. и в подстроч. примеч. - На пер. загл. сер.: Нанотехнология. - 1000 экз. - ISBN 978-5-94774-914-4 : 202.40 р.
Кл.слова (ненормированные): НАНОЭЛЕКТРОНИКА (ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ) -- НАНОЭЛЕКТРОННЫЕ СТРУКТУРЫ (МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ) -- НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ -- Квантовый эффект Холла -- Эффект Кондо -- Резонансное туннелирование Аннотация: Учебное пособие составлено на основе курса лекций "Наноэлектроника", читаемого студентами специальностей "Микро- и наноэлектронные технологии и системы" и "Квантовые информационные системы" в Белорусском государственном университете информатики и радиоэлектроники. В нем рассмотрены фундаментальные физические эффекты, имеющие место в наноструктурах и обусловленные их пониженной мерностью. Дана классификация низкоразмерных структур, описаны подходы, позволяющие формировать такие структуры в полупроводниках, а также современные методы их исследования. Обсуждаются особенности транспорта носителей заряда в наноразмерных структурах Доп.точки доступа: Воробьева, Алла Ильинична (канд. техн. наук); Уткина, Елена Апполинарьевна Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |