621.38
   З-470


    Зебрев, Геннадий Иванович.
    Физические основы кремниевой наноэлектроники : учебное пособие / Г. И. Зебрев. - Москва : Бином. Лаборатория знаний, 2011. - 240 с. : ил ; 23 см. - (Нанотехнологии). - Библиогр.: с. 225-232. - ISBN 978-5-9963-0181-2 (в пер.) : 230 р.
    Содержание:
Базисные физические уравнения
Особенности приборов КМОП-технологии
Эффекты сильных электрических полей
Транзисторы технологии "кремний-на-изоляторе"
Точки утечки в наноэлектронных структурах
Моделирование транзисторов КНИ-технологий
ГРНТИ
УДК
Рубрики: Электроника--Учебные издания для высших учебных заведений
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ (ПРИМЕНЕНИЕ В НАНОЭЛЕКТРОНИКЕ) -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА (ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ) -- СИЛИКАТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- МОП-ТРАНЗИСТОРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА КРЕМНИЕВАЯ

Экземпляры всего: 1
Х (1)
Свободны: Х (1)

   621.38
   Б 825


    Борисенко, Виктор Евгеньевич.
    Наноэлектроника : учебное пособие для студентов высших учебных заведений по специальностям "Микро- и наноэлектронные технологии и системы" и "Квантовые информационные системы" / В.Е. Борисенко, А.И. Воробьева, Е.А. Уткина. - Москва : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. - 223 с. : ил ; 23. - (Нанотехнологии). - Библиогр. в конце ч. и в подстроч. примеч. - На пер. загл. сер.: Нанотехнология. - 1000 экз. - ISBN 978-5-94774-914-4 : 202.40 р.
ГРНТИ
УДК
Рубрики: Наноэлектроника--Учебные издания для высших учебных заведений
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОНИКА (ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ) -- НАНОЭЛЕКТРОННЫЕ СТРУКТУРЫ (МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ) -- НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ -- Квантовый эффект Холла -- Эффект Кондо -- Резонансное туннелирование
Аннотация: Учебное пособие составлено на основе курса лекций "Наноэлектроника", читаемого студентами специальностей "Микро- и наноэлектронные технологии и системы" и "Квантовые информационные системы" в Белорусском государственном университете информатики и радиоэлектроники. В нем рассмотрены фундаментальные физические эффекты, имеющие место в наноструктурах и обусловленные их пониженной мерностью. Дана классификация низкоразмерных структур, описаны подходы, позволяющие формировать такие структуры в полупроводниках, а также современные методы их исследования. Обсуждаются особенности транспорта носителей заряда в наноразмерных структурах


Доп.точки доступа:
Воробьева, Алла Ильинична (канд. техн. наук); Уткина, Елена Апполинарьевна
Экземпляры всего: 1
Х (1)
Свободны: Х (1)