537 А 139 Абдуллаев, Г. М. Б. оглы Атомная диффузия в полупроводниковых структурах / Г. М. Б. оглы Абдуллаев, Т. Д. оглы Джафаров. - Москва : Атомиздат, 1980. - 280 с. : ил. - Библиогр.: с. 264-274. - Предм. указ.: с. 275-277. - 2.50 р.
Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- атомная диффузия Доп.точки доступа: Джафаров, Т. Д. оглы Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 А 465 Александров, Леонид Наумович. Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках / Л. Н. Александров, М. И. Зотов. - Новосибирск : Наука , 1979. - 159 с. : ил. - Библиогр.: с. 149 - 158 (188 назв.). - 1.00 р.
Кл.слова (ненормированные): полупроводники (трение внутреннее) -- полупроводники (дефекты) Доп.точки доступа: Зотов, М. И. Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 А 623 Аморфные полупроводники : пер. с англ. / М. Бродски [и др.] ; ред. М. Бродски ; пер.: А. А. Андреев, В. А. Алексеев. - Москва : Мир, 1982. - 419 с. - (Проблемы прикладной физики). - Библиогр.: с. 409-414. - Предм. указ.: с. 415-416. - Пер. изд. : Amorphous semiconductors. - 4.00 р.
Кл.слова (ненормированные): полупроводники аморфные Доп.точки доступа: Бродски, М.; Карлсон, Д.; Коннел, Дж.; Дэвис, Э.; Фишер, Р.; Хэйс, Т.; Крамер, Б.; Ле-Комбер, П.; Люковски, Дж.; Нагельс, П.; Соломон, И.; Спир, У.; Уэйр, Д.; Вронски, К.; Бродски, М. \ред.\; Андреев, А. А. \пер.\; Алексеев, В. А. \пер.\ Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 А 807 Арефьев, Константин Петрович. Позитроника в радиационном материаловедении ионных структур и полупроводников / К. П. Арефьев, С. А. Воробьев, Е. П. Покопьев. - Москва : Энергоатомиздат, 1983. - 88 с. : граф. - Библиогр.: с. 83 - 87 (195 назв.). - Пер. изд. : Amorphous semiconductors. - 1.00 р.
Кл.слова (ненормированные): полупроводники (структура) -- кристаллы ионные (структура -- позитроны (аннигиляция) Доп.точки доступа: Воробьев, С. А.; Покопьев, Е. П. Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 А 926 Атомная диффузия в полупроводниках : пер. с англ. / Д. Шоу и др. - Москва : Мир, 1975. - 684 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Имен. и предм. указ.: с. 676-682. - 3.91 р.
Кл.слова (ненормированные): полупроводники (диффузия) Доп.точки доступа: Шоу, Д.; Сволин, Р.; Брайс, Дж. Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 Б 249 Барисс, Валдис Освалдович. Определение параметров локального уровня в полупроводниках : научное издание / В. О. Барисс, Э. Э. Клотыньш ; АН ЛатвССР,Физико-энергетический ин-т. - Рига : Зинатне, 1978. - 192 с. - Библиогр.:с.186-190. - 00.90 р.
Кл.слова (ненормированные): ФИЗИКА -- ТВЕРДОЕ ТЕЛО -- ПОЛУПРОВОДНИКИ Доп.точки доступа: Клотыньш, Эмилс Элмарович; АН ЛатвииФизико-энергетический институт (Рига) Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 Б 266 Бару, В. Г. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников / В. Г. Бару, Ф. Ф. Волькенштейн. - Москва : Наука, 1978. - 288 с. : ил. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр.: с. 277-288. - Б. ц.
Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- поверхностные свойства полупроводников -- влияния облучения на полупроводники Доп.точки доступа: Волькенштейн, Ф. Ф. Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 Б 480 Бергер, Лев Исаакович. Тройные алмазоподобные полупроводники / Л. И. Бергер, В. Д. Прочухан. - Москва : Металлургия, 1968. - 151 с. : ил. - Библиогр.: с. 145 - 151 (245 назв.). - 1.02 р.
Кл.слова (ненормированные): полупроводники алмазоподобные Доп.точки доступа: Прочухан, Виталий Данилович Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 Б 796 Болтакс, Борис Иосифович. Диффузия в полупроводниках / Б. И. Болтакс. - Москва : Физматгиз, 1961. - 462 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - 1.29 р.
Кл.слова (ненормированные): полупроводники (диффузия) Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 Б 796 Болтакс, Борис Иосифович. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках / Б. И. Болтакс ; АН СССР, Физико-технический ин-т. - Ленинград : Наука , 1972. - 384 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - 1.99 р.
Кл.слова (ненормированные): полупроводники (диффузия) -- полупроводники (дефекты) Доп.точки доступа: Академия наук СССР; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 В 485 Винецкий, Валентин Львович. Радиационная физика полупроводников / В. Л. Винецкий, Г. А. Холодарь ; Акад. наук Укр. ССР, Ин-т физики. - Киев : Наукова думка, 1979. - 335 с. : рис. - Библиогр. : с. 323 - 332 (240 назв.). - 3.70 р.
Кл.слова (ненормированные): полупроводники (действие ионизирующих излучений) Доп.точки доступа: Холодарь, Галина Антоновна; Академия наук СССРИнститут физики АН Украинской ССР Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
539 Г 930 Губанов, Александр Иванович. Квантово-электронная теория аморфных проводников / А. И. Губанов ; отв. ред. А. Р. Регель ; Акад. наук СССР, Физ.-тех. ин-т. - Москва ; Ленинград : Издательство Академии наук СССР, 1963. - 250 с. - Библиогр.: с. 242 - 247. - 4300 экз. - 1.28 р.
Кл.слова (ненормированные): полупроводники электрические аморфные (физика) Доп.точки доступа: Регель, Анатолий Робертович \ред.\; Академия наук СССРФизико-технический институт АН СССР Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 Д 400 Джаксимов, Емберген. Элементы теории фотонных и фононных эффектов в полупроводниках / Е. Джаксимов ; АН Узбекской ССР. - Ташкент : Фан, 1979. - 175 с. : граф. - Библиогр.: с. 159 - 169 (268 назв.). - 1.90 р.
Кл.слова (ненормированные): полупроводники (оптические свойства) Доп.точки доступа: Академия наук Узбекской ССР Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 Д 560 Добровольский, Валентин Николаевич. Перенос электронов и дырок у поверхности полупроводников / В. Н. Добровольский, В. Г. Литовченко ; Акад. наук УССР, Ин-т полупроводников. - Киев : Наукова думка, 1985. - 191 с. : рис., табл. - Библиогр.: с. 176-191. - 2.40 р. Содержание: Электростатическое взаимодействие между различными частями МДП структуры и его влияние на перенос носителей заряда Эффекты Холла и магнитосопротивления Эффекты, возникающие под действием перпендикулярной поверхности силы Лоренца Квантование энергии и перенос электронов и дырок в поверхностных каналах Двухмерные экситоны и неравновесная плазма Характеристики поверхностной области при низких плотностях носителей заряда
Кл.слова (ненормированные): полупроводники (поверхностные свойства) Доп.точки доступа: Литовченко, Владимир Григорьевич; Академия наук Украинской ССРИнститут полупроводников АН Украинской ССР Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 З-382 Захаров, Валентин Петрович. Структурные особенности полупроводников в аморфном состоянии / В. П. Захаров, В. С. Герасименко ; Акад наук УССР, Ин-т проблем материаловедения. - Киев : Наукова думка, 1976. - 280 с. : рис. - Библиогр.: с. 264-279. - 2.18 р.
Кл.слова (ненормированные): полупроводники аморфные (структура) Доп.точки доступа: Герасименко, Всеволод Сергеевич; Академия наук Украинской ССРИнститут проблем материаловедения АН Украинской ССР Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 И 584 Инвертированные распределения горячих электронов в полупроводниках : сборник научных трудов / АН СССР, Ин-т прикл. физики ; ред. А. А. Андронов. - Горький : ИПФ, 1983. - 228 с. : ил. - Библиогр.: с. 197 - 213 (178 назв.). - 1.50 р.
Кл.слова (ненормированные): полупроводники (электрические свойства) -- электроны горячие Доп.точки доступа: Андронов, А. А. \ред.\; Академия наук СССРИнститут прикладной физики Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 К 610 Колобов, Николай Афанасьевич. Диффузия и окисление полупроводников / Н. А. Колобов, М. М. Самохвалов. - Москва : Металлургия, 1975. - 454 с. - Библиогр.: с. 438 - 449. - Предм. указ.: с. 450 - 454. - 1.41 р.
Кл.слова (ненормированные): полупроводники (диффузия) -- полупроводники (окисление) Доп.точки доступа: Самохвалов, М. М. Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 К 726 Костылев, Сергей Александрович. Электронное переключение в аморфных полупроводниках / С. А. Костылев, В. А. Шкут ; АН УССР, Днепропетровское отд-ние, Ин-т механики. - Киев : Наукова думка, 1978. - 204 с. : ил. - Библиогр.: с. 183-201. - 2.30 р.
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКИ аморфные -- ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА Доп.точки доступа: Шкут, Валерий Андреевич; АН УССР. Днепропетровское отделениеИнститут механики (Киев) Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 К 825 Кристаллические и стеклообразные полупроводники : сборник статей / АН Молдавской ССР, Ин-т прикл. физики. - Кишинев : Штиинца, 1977. - 235 с. : ил. - Библиогр. в конце ст. - 2.31 р.
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКИ (физика) Доп.точки доступа: Академия наук Молдавской ССР; Институт прикладной физики Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 К 891 Кузнецов, Н. В. Радиационная стойкость кремния / Н. В. Кузнецов, Г. Г. Соловьев. - Москва : Энергоатомиздат, 1989. - 93, [2] с. : ил. - Библиогр.: с. 90-94 (90 назв.). - ISBN 5-283-02923-9 : 1.30 р.
Кл.слова (ненормированные): кремний -- радиационная стойкость кремния Доп.точки доступа: Соловьев, Г. Г. Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 М 735 Многокомпонентные халькогениды A II, B 2 III, C 4 VI : сборник статей / АН МССР, Институт прикладной физики (Кишинев) ; ред. С. И. Радауцан. - Кишинев : Штиинца, 1990. - 165 с. : ил. - Библиогр. в конце ст. - ISBN 5-376-0000607-7 : 2.40 р.
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ХАЛЬКОГЕНИДЫ Доп.точки доступа: Радауцан, Сергей Иванович \ред.\; АН МССРИнститут прикладной физики (Кишинев) Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
539 М 856 Мотт, Невиль Френсис. Электроны в неупорядоченных структурах : пер. с англ. / Н. Ф. Мотт ; ред. В. Л. Бонч-Бруевич. - Москва : Мир , 1969. - 172 с. : граф. - Библиогр.: с. 149 - 170 (358 назв.). - 00.56 р.
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКИ (электронная структура) -- металлы жидкие (электронная структура) Доп.точки доступа: Бонч-Бруевич, В.Л. \ред.\ Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 Н 561 Нестеренко, Борис Алексеевич. Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников / Б. А. Нестеренко, О. В. Снитко ; Акад. наук УССР, Ин-т полупроводников. - Киев : Наукова думка, 1983. - 264 с. : ил. - Библиогр.: с. 228-261. - 1650 экз. - 3.30 р.
Кл.слова (ненормированные): полупроводники (поверхностные свойства) Доп.точки доступа: Снитко, Олег Вячеславович; Академия наук Украинской ССРИнститут полупроводников АН Украинской ССР Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 П 781 Проблемы физики поверхности полупроводников / О. В. Снитко [и др.]. ; ред. О. В. Снитко ; Акад. наук Укр. ССР, Ин-т полупроводников. - Киев : Наукова думка, 1981. - 331 с. : ил. - Библиогр.: с. 304-328. - 1850 экз. - 3.40 р. Содержание: Электронные явления на поверхности полупроводников Теоря поверхностных неравновесных электронных процессов в полупроводниках Физические свойства реальной поверхности германия и кремния, легированной примесями металлов Импульсная адсорбция молекул на поверхности полупроводников и газовые датчики на ее основе Электрофизические свойства МДП-структур, имплантированных ионами бора Роль поверхности в формировании фотоэлектрической памяти в арсениде галлия Приповерхностное перезаселение долин в электронном кремнии Поверхностные поляритоны в карбиде кремния Кристаллическое строение и колебание атомов на атомарно-чистой поверхности полупроводников Дислокации границы раздела и остаточные деформации в эпитаксиальных пленках Электрохимические явления на границе раздела полупроводник-расплав
Кл.слова (ненормированные): полупроводники (поверхностные свойства) Доп.точки доступа: Снитко, О. В.; Саченко, А. В.; Примаченко, В. Е.; Антощук, В. В.; Снитко, О.В. \ред.\; Академия наук Украинской ССР; Институт полупроводников АН Украинской ССР Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 Р 139 Равич, Юрий Исаакович. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и bS / Ю. И. Равич ; ред. Л. С. Стильбанс. - Москва : Наука , 1968. - 383 с. : ил. - Библиогр.: с. 365 - 380 (519 назв.). - 1.46 р.
Кл.слова (ненормированные): свинец -- халькогениды (физико-химические свойства) Доп.точки доступа: Стильбанс, Л. С. \ред.\ Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 Р 153 Радиационные эффекты в полупроводниках : сборник статей / Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников ; ред. Л. С. Смирнов. - Новосибирск : Наука, 1979. - 224 с. : ил. - Библиогр. в конце ст. - 1500 экз. - 2.00 р.
Кл.слова (ненормированные): полупроводники (действие ионизирующих излучений) -- полупроводники (дефекты) Доп.точки доступа: Смирнов, Л.С. \ред.\; Академия наук СССРСибирское отделение АН СССР; Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 С 325 Серегин, Павел Павлович. Применение эффекта Мессбауэра и фотоэлектронной спектроскопии в физике аморфных полупроводников / П. П. Серегин, П. В. Нистирюк ; под ред. А. В. Сырбу ; Кишиневский политехнический ин-т им. С. Лазо. - Кишинев : Штиинца, 1991. - 134 с. : ил. - Библиогр.: с. 124-132. - ISBN 5-376-01015-5 : 1.70 р.
Кл.слова (ненормированные): ФИЗИКА -- ТВЕРДОЕ ТЕЛО -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- АМОРФНОСТЬ -- СПЕКТРОСКОПИЯ Доп.точки доступа: Нистирюк, Павел Викторович; Сырбу, А. В. \ред.\; Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 С 389 Синявский, Элерланж Петрович. Кинетические эффекты в электрон-фононных системах в поле лазерного излучения / Э. П. Синявский ; ред. В. А. Коварский ; АН МССР, Ин-т прикладной физики. - Кишинев : Штиинца, 1976. - 170 с. : ил. - Библиогр.: с. 162-168. - 00.85 р.
Кл.слова (ненормированные): ФИЗИКА -- ТВЕРДОЕ ТЕЛО -- ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ФИЗИКА -- КИНЕТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ -- КИНЕТИКА -- ЛАЗЕРНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ Доп.точки доступа: Коварский, В. А. \ред.\; АН МССРИнститут прикладной физики (Кишинев) Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 С 791 Стеклообразные полупроводники : тезисы докладов Всесоюзная конференция "Стеклообразные полупроводники", Ленинград, 2-4 октября 1985г. / Акад. наук СССР, Физ.-тех. ин-т им. А.Ф. Иоффе. - Ленинград : ФТИ, 1985. - 396 с. - Библиогр. в конце тез. - Авт. указ. - 500 экз. - 2.16 р. Содержание: Теория Электрические свойства Оптические свойства Структура и физико-химические свойства Оксидные стекла Дефекты Фотоиндуцированные явления Приборы
Кл.слова (ненормированные): полупроводники Доп.точки доступа: Академия наук СССР; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР; Стеклообразные полупроводники, Всесоюзная конференция (1985 ; окт. ; 2-4 ; Ленинград) Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 С 791 Стеклообразный сульфид мышьяка и его сплавы: (Физические свойства и применение) / А. М. Андриеш, М. С. Иову, Д. И. Циуляну ; ред. Б. Т. Коломиец ; АН Молдавской ССР, Ин-т прикл. физики. - Кишинев : Штиинца, 1981. - 212 с. - Библиогр. в конце глав. - 2.10 р.
Кл.слова (ненормированные): мышьяк сульфиды -- полупроводники стеклообразные Доп.точки доступа: Андриеш, А. М.; Иову, М. С.; Циуляну, Д. И.; Коломиец, Б. Т. \ред.\; Академия наук Молдавской ССР; Институт прикладной физики Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 Ф 503 Физика поверхности полупроводников : сборник статей / ред. пер., авт. предисл. Г. Е. Пикус. - Москва : Изд-во иностранной литературы, 1959. - 423 с. : граф., табл., рис. - Библиогр. в конце ст. - 16.00 р. Содержание: Шлир, Р. Изучение очищенных и покрытых газом поверхностей германия (100) при помощи дифракции медленных электронов / Р. Шлир Барнеси, Д. Электрические свойства чистых поверхностей германия / Д. Барнеси Лоу, Д. Окисление германия при высокой температуре / Д. Лоу Вольский, С. Изучение монокристаллов германия микровзвешиванием в вакууме / С. Вольский Арчер, Р. Оптические измерения роста пленок на поверхностях германия и кремния в комнатной атмосфере / Р. Арчер Эллис, С. Влияние различных травителей на свойства поверхности монокристалла германия / С. Эллис Мэни, А. Процессы поверхностной рекомбинации в германии и их исследование с помощью поперечных электрических полей / А. Мэни Мэни, А. Распределение и эффективные сечения "быстрых состояний" на поверхности германия в различных газовых средах / А. Мэни Монтгомери, Х. Эффект поля в германии при высоких частотах / Х. Монтгомери Моррисон, С. Медленные релаксационные явления на поверхности германия / С. Моррисон Пратти, Д. Длинновременные изменения работы выхода, вызываемы светом и электрическим полем / Д. Пратти Лассер, М. Влияние толстых слоев окисла на поверхностные свойства германия / М. Лассер Макхортер, А. Шумы 1/f-типа и свойства поверхности германия / А. Макхортер Гэррет, К. некоторые эксперименты и теория поверхностного пробоя / К. Гэррет Эриксен, В. Избыточные поверхностные токи германиевых и кремниевых диодов / В. Эриксен Воллмарк, Д. Влияние окисления поверхности на коэффициент усиления по току германиевых p-n-p-транзисторов / Д. Воллмарк Воллмарк, Д. Влияние влаги на характеристики p-n-p-транзисторов / Д. Воллмарк
Кл.слова (ненормированные): полупроводники (физика) Доп.точки доступа: Пикус, Г.Е. \ред. пер., авт. предисл.\ Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 Ф 505 Физические процессы в облученных полупроводниках / В. В. Болотов, А. В. Васильев, Н. Н. Герасименко ; ред. Л. С. Смирнов ; АН СССР, Институт физики полупроводников. - Новосибирск : Наука , 1977. - 256 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - 2.00 р.
Кл.слова (ненормированные): полупроводники (дефекты) -- полупроводники (действие ионизирующих излучений) Доп.точки доступа: Болотов, В. В.; Васильев, А. В.; Герасименко, Н. Н.; Смирнов, Л. С. \ред.\; Академия наук СССР; Институт физики полупроводников Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 Ш 655 Шишияну, Федор Семенович. Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах / Ф. С. Шишияну ; Кишиневский политехнический ин-т им. С. Лазо. - Кишинев : Штиинца, 1978. - 232 с. : ил. - Библиогр.: с. 218-228. - 2.20 р.
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ДИФФУЗИЯ Доп.точки доступа: Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 Э 178 Эгрен, Пьер. Электронные процессы в твердых телах : Пер. с англ. / П. Эгрен ; ред. Ф. В. Бункин. - Москва : Изд-во иностр. лит., 1962. - 90 с. - Библиогр.: с. 86 - 88. - Пер. изд. : Electronic processes in solids / Pierre R. Algrain. - 1960. - 0.27 р.
Кл.слова (ненормированные): твердые тела (электропроводность) Доп.точки доступа: Бункин, Ф.В. \ред.\; Algrain, Pierre R. Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |
537 Э 455 Электронные явления на поверхности полупроводников / В.И. Ляшенко [и др.] ; под общ. ред. В. И. Ляшенко. - Киев : Наукова думка, 1968. - 400 с. : граф., фот., рис. - Библиогр.: с. 380-397 (777 назв.). - 4400 экз. - 2.60 р.
Кл.слова (ненормированные): полупроводники (электронная теория) Перейти: Стрих В.И. "Контактные явления в полупроводниках" Доп.точки доступа: Ляшенко, Василий Иванович; Литовченко, В.Г.; Степко, И.И.; Стриха, Виталий Илларионович; Ляшенко, Л.В.; Ляшенко, Василий Иванович \ред.\; Академия наук Украинской ССР; Институт полупроводников АН Украинской ССР Экземпляры всего: 1 Х (1) Свободны: Х (1) |