Главная Упрощенный режим

Базы данных


Основная библиотечная БД - результаты поиска

Вид поиска
Основная библиотечная БД
Труды учёных ПГНИУ
Диссертации
Журналы
Рациональное природопользование
Иностранная периодика
Дореволюционная периодика
Библиотека юридичеcкого факультета (статьи)
Туризм
История Пермского университета
Продолжающиеся издания
Музейный книжный фонд
Область поиска
 Найдено в других БД:Журналы (1)Продолжающиеся издания (2)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=АРСЕНИД<.>)
Общее количество найденных документов : 19
Показаны документы с 1 по 19
1.
621.38
К 726

    Костылев, Сергей Александрович.
    Явление токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах [Текст] / Сергей Александрович Костылев, Е. Ф. Прохоров, А. Т. Уколов. - Киев : Наук.думка, 1990. - 139с. : ил. - Библиогр.:с.125-138. - ISBN 5-12-001304-X : 2.20 р.
УДК
621.382.049.772
РУБ 621.38

Кл.слова (ненормированные):
Полупроводниковые пленки.электрофизические свойства -- Галлий арсенид.полупроводниковые свойства -- Микроэлектронные схемы интегральные


Доп.точки доступа:
Прохоров, Е. Ф.; Уколов, А. Т.
Экземпляры всего: 1
Х (1)
Свободны: Х (1)
Найти похожие
2.
621.38
Ч-498

    Черняев, Александр Владимирович.
    Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия [Текст] / Александр Владимирович Черняев. - М. : Радио и связь, 1990. - 85с. - ISBN 5-256-00740-8 : 1 р.
УДК
621.382.049.77.002
РУБ 621.38

Кл.слова (ненормированные):
Полупроводниковые приборы.производство -- Галлий.легирование ионное -- Арсенид.легирование ионное

Экземпляры всего: 1
Х (1)
Свободны: Х (1)
Найти похожие
3.
   621.38
   П 491

   
    Полевые транзисторы на арсениде галлия : Принципы работы и технология изготовления / Под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола; Пер. с англ. Г. В. Петрова. - М. : Радио и связь, 1988. - 495с. : ил. - Библиогр.:с.439-490. - ISBN 5-256-00136-1 : 2.70 р., 2.70 р.
УДК
621.382.323

Кл.слова (ненормированные):
Галлий арсенид. полупроводниковые свойства -- Триоды полупроводниковые полевые -- Транзисторы полевые


Доп.точки доступа:
Линдквист, П.Ф.; Форд, У.М.; Холлан, Л. и др.
Экземпляры всего: 2
Х (1), АБН (1)
Свободны: Х (1), АБН (1)
Найти похожие
4.
621.38
А 851

   
    Арсенид галлия в микроэлектронике [Текст] : пер.с англ. / Под.ред.Н.Айнспрука,У.Уиссмена,В.Н.Мордковича. - М. : Мир, 1988. - 555с. - ISBN 5-03-0000130- 1 : 4.90 р.
УДК
621.382.049.77.002
РУБ 621.38

Кл.слова (ненормированные):
Микроэлектронные схемы -- Галлий.полупроводниковые свойства -- Арсенид.полупроводниковые свойства

Экземпляры всего: 1
Х (1)
Свободны: Х (1)
Найти похожие
5.
1480108

    Стародубцев, А. А.
    Электрофизические характеристики и структурно-фазовый состав наноразмерных структур в системе Ga2Se3/GaAs : автореферат дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / А. А. Стародубцев ; Воронеж. гос. ун-т. - Воронеж, 2006. - 16 с.
Кл.слова (ненормированные):
наноразмерные структуры -- арсенид галлия -- гетероструктуры в микроэлектронике

Экземпляры всего: 1
Х (1)
Свободны: Х (1)
Найти похожие
6.
   537
   С 957

    Сытенко, Т. Н.
    Электрофизические свойства арсенида галлия : учеб. пособие / Т. Н. Сытенко ; Киевский политехн. ин-т. - Киев : [б. и.], 1978. - 100 с. - Библиогр. в конце кн. - 0.30 р.
ГРНТИ
29.01.33
УДК
537.311.322(075.8)
Рубрики: Электричество. Электромагнетизм--Учебные издания
Кл.слова (ненормированные):
Арсенид галлия (электрофизические свойства)

Экземпляры всего: 1
Х (1)
Свободны: Х (1)
Найти похожие
7.
   1288151
   

    Кострюков, В. Ф.
    Нелинейность совместного воздействия оксидов свинца, сурьмы и висмута на процесс термического окисления арсенида галлия : автореферат дис. ... канд. хим. наук : 02.00.01 / В. Ф. Кострюков. - Воронеж, 2000. - 23 с.
Кл.слова (ненормированные):
ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ -- ОКСИДЫ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ (ОКИСЛЕНИЕ)

Экземпляры всего: 1
Х (1)
Свободны: Х (1)
Найти похожие
8.
   537
   А 851

   
    Арсенид галлия : сборник статей / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Сиб. физ.-техн. науч.-исслед. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Томском гос. ун-те ; ред. М. А. Кривов. - Томск : Издательство Томского университета, 1968 [вып. дан. 1969]. - 502 с. : ил., табл. - Библиогр. в конце ст. - 2.67 р.
ГРНТИ
29
УДК
537.311.322:54
Рубрики: Химия полупроводников
Кл.слова (ненормированные):
галлий арсенид -- арсенид галлия


Доп.точки доступа:
Кривов, М. А. \ред.\
Экземпляры всего: 1
Х (1)
Свободны: Х (1)
Найти похожие
9.
   537
   А 851

    Арсенид галлия : сборник статей / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Сиб. физ.-техн. науч.-исслед. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Томском гос. ун-те. - Томск : Издательство Томского университета, 1970 - .
   Вып. 3. - 1970. - 292 с. : рис. - 1.80 р.
ГРНТИ
29
УДК
537.311.322:54
Рубрики: Химия полупроводников
Кл.слова (ненормированные):
галлий арсенид -- арсенид галлия

Экземпляры всего: 1
Х (1)
Свободны: Х (1)
Найти похожие
10.
   537
   А 851

    Арсенид галлия : сборник статей / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Сиб. физ.-техн. науч.-исслед. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Томском гос. ун-те. - Томск : Издательство Томского университета, 1970 - .
   Вып. 4 : [Доклады совещания]. - 1974. - 313 с. : ил. - Библиогр. в конце докл. - 1.32 р.
ГРНТИ
29
УДК
537.311.322:54
Рубрики: Химия полупроводников
Кл.слова (ненормированные):
галлий арсенид -- арсенид галлия

Экземпляры всего: 1
Х (1)
Свободны: Х (1)
Найти похожие
11.
   533
   И 755

   
    Ионная имплантация и лучевая технология / под ред. Дж. С. Вильямса, Дж. М. Поута ; пер. с англ. А. М. Евстигнеева, под общ. ред. акад. АН УССР О. В. Снитко. - Киев : Наукова думка, 1988. - 358 с. - Библиогр.: с. 327-353. - Предм. указ.: с. 354-358. - Пер. изд. : Ion Implantation and Beam Processing. - 1984. - 940 экз. - ISBN 5-12-009334-5 : 5.50 р.
    Содержание:
Введение в имплантацию и лучевую технологию
Аморфизация и кристаллизация полупроводников
Гиббонс, Дж. Г. Применение кинетического уравнения Больцмана к описанию ионной имплантации в полупроводниках и многослойных мишенях / Дж. Г. Гиббонс, Л. А. Кристел
Дэвис, Дж. А. Каскады столкновений с высокой плотностью энергии и эффекты пиков / Дж. А. Дэвис
Браун, В. Л. Имплантация диэлектриков: льды и материалы для литографии / В. Л. Браун
Андерсен, Х. Х. Изменение состава сплавов и соединений под воздействием ионной бомбардировки / Х. Х. Андерсен
Эпплот, Б. Р. Ионно-лучевое и лазерное перемешивание: фундаментальные аспекты и применения / Б. Р. Эпплот
Бинленд, Д. Г. Высокодозовая имплантация / Д. Г. Бинленд
Раппрехт, Х. С. Тенденции использования ионной имплантации в крмемниевой технологии / Х. С. Раппрехт, А. Е. Мичел
Эйзен, Ф. Х. имплантация в технологии приборов на основе GaAs / Ф. Х. Эйзен
Баглин, Дж. Контакты и межсоединения на полупроводниках / Дж. Баглин [и др.]
Другие авторы: Харрисон Х., Тэндон Дж., Вильямс Дж. С.
Кремний
Арсенид галлия
ГРНТИ
29.19.31
29.19.21
УДК
533.9
Рубрики: Полупроводники--Поверхность--Облучение--Технологии
   Ионная имплантация--Полупроводники
Кл.слова (ненормированные):
лучевая технология


Доп.точки доступа:
Вильямс, Дж. С. \ред.\; Поут, Дж. М. \ред.\; Евстигнеев, А. М. \пер.\; Снитко, О. В. \ред. пер.\; Вильямс, Дж. С.
Экземпляры всего: 1
Х (1)
Свободны: Х (1)
Найти похожие
12.
   537
   А 851

   
    Арсенид и фосфид кадмия [Текст] : научное издание / С. И. Радауцан [и др.]. ; Академия наук Молдавской ССР, Институт прикладной физики. - Кишинев : Штиинца, 1976. - 111 с. : граф. - Библиогр.: с. 104-110. - 0.61 р.
ГРНТИ
29
УДК
537.226
Рубрики: Электрические свойства диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
кадмий арсенид -- кадмий фосфид


Доп.точки доступа:
Радауцан, С. И.; Арушанов, Э. К.; Натепров, А. Н.; Чуйко, Г. П.; Академия наук Молдавской ССР; Институт прикладной физики
Экземпляры всего: 1
Х (1)
Свободны: Х (1)
Найти похожие
13.
   621.38
   Ф 815

   
    Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия / А. Искандеров, Х. Х. Бустанов, К. Расулов ; ред. М. С. Саидов ; Физико-технический институт. - Ташкент : Фан, 1986. - 144 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - 1.40 р.
ГРНТИ
29
УДК
621.383.5
Рубрики: Фотоприемники с запирающим слоем
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектронные приборы полупроводниковые -- полупроводники (гетеропереходы) -- галлий арсенид (полупроводниковые свойства)


Доп.точки доступа:
Искандеров, А.; Бустанов, Х. Х.; Расулов, К.; Саидов, М. С. \ред.\; Физико-технический институт
Экземпляры всего: 1
Х (1)
Свободны: Х (1)
Найти похожие
14.
   621.3
   С 365

   
    Силовые высокотемпературные высокочастотные приборы на основе арсенида галлия : препринт-339 / Г. А. Ашкинази, Л. Я. Золотаревский, Л. Д. Мазо. - Киев : ИЭД, 1983. - 10 с. - 0.07 р.
ГРНТИ
45
УДК
621.314.63
Рубрики: Выпрямители полупроводниковые--Преобразователи полупроводниковые
Кл.слова (ненормированные):
диоды -- тиристоры -- галлий арсенид


Доп.точки доступа:
Ашкинази, Г. А. ; Золотаревский, Л. Я. ; Мазо, Л. Д.
Экземпляры всего: 1
Х (1)
Свободны: Х (1)
Найти похожие
15.
   621.3
   А 851

   
    Арсенид галия. Труды Международного симпозиума, орган. Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лаб. авиационной электроники ВВС США : перевод с английского / ред. А. А. Визель. - Москва : Советское радио, 1972. - 304 с. - Библиогр. в конце докл. - 1.83 р.
ГРНТИ
47
УДК
621.315.592
Рубрики: Полупроводники
Кл.слова (ненормированные):
ГАЛЛИЙ -- АРСЕНИД


Доп.точки доступа:
Визель, А. А. \ред.\
Экземпляры всего: 1
Х (1)
Свободны: Х (1)
Найти похожие
16.
   621.3
   М 607

    Мильвидский, Михаил Григорьевич.
    Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. (На прмере арсенида галлия) / М. Г. Мильвидский, О. В. Пелевин, Б. А. Сахаров. - Москва : Металлургия, 1974. - 391 с. - Библиогр. в конце глав. - 1.67 р., 1.67 р.
ГРНТИ
47
УДК
621.315.592
Рубрики: Полупроводники
Кл.слова (ненормированные):
ГАЛЛИЙ (ПОЛУЧЕНИЕ) -- АРСЕНИД (ПОЛУЧЕНИЕ) -- МОНОКРИСТАЛЛЫ (ВЫРАЩИВАНИЕ)


Доп.точки доступа:
Пелевин, Олег Викторович; Сахаров, Борис Андреевич
Экземпляры всего: 2
Х (1), АБН (1)
Свободны: Х (1), АБН (1)
Найти похожие
17.
   621.3
   Ч-498

    Черняев, Владимир Николаевич.
    Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе / В. Н. Черняев, Л. В. Кожитов. - Москва : Энергия , 1974. - 231 с. - Библиогр.: с. 215-229 . - 0.85 р.
ГРНТИ
47
УДК
621.315.592
Рубрики: Полупроводники
Кл.слова (ненормированные):
АРСЕНИД ГАЛЛИЯ -- ГАЛЛИЙ (ПОЛУЧЕНИЕ) -- ГАЛЛИЙ (ПЛЕНКИ) -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ (СТРУКТУРА)


Доп.точки доступа:
Кожитов, Лев Васильевич
Экземпляры всего: 1
Х (1)
Свободны: Х (1)
Найти похожие
18.
   621.3
   Ш 967

    Шур, Михаил.
    Современные приборы на основе арсенида галлия : перевод с английского / М. Шур ; ред.: М. Е. Левиштейн, В. Е. Челноков. - Москва : Мир , 1991. - 632 с. - 10.00 р.
ГРНТИ
47
УДК
621.315.592
Рубрики: Полупроводники
Кл.слова (ненормированные):
АРСЕНИД ГАЛЛИЯ (ПРИБОРОСТРОЕНИЕ)


Доп.точки доступа:
Левиштейн, М. Е. \ред.\; Челноков, В. Е. \ред.\
Экземпляры всего: 1
Х (1)
Свободны: Х (1)
Найти похожие
19.
   661
   А 851

   
    Арсенид галлия. Получение, свойства и применение / Ю. М. Бурдуков, Ф. М. Гашимзаде, Ю. А. Гольдберг ; ред.: Ф. П. Кесаманлы, Д. Н. Наследов. - Москва : Наука, 1973. - 471 с. : ил. - Библиогр.: с. 431-471. - 2.37 р.
ГРНТИ
61.31.51
УДК
661.8
Рубрики: Химическая технология. Химическая промышленность--Соединения металлов. Общие вопросы. Соли. Минеральные краски
Кл.слова (ненормированные):
галлий арсенид


Доп.точки доступа:
Бурдуков, Ю. М.; Гашимзаде, Ф. М.; Гольдберг, Ю. А.; Кесаманлы, Фагам Паша оглы \ред.\; Наследов, Д. Н. \ред.\
Экземпляры всего: 1
Х (1)
Свободны: Х (1)
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика обращений
Статистика
за 08.07.2024
Число запросов 27448
Число посетителей 493
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)