Тюрин, С. Ф. Отказоустойчивая статическая оперативная память на основе ячеек БМК / С. Ф. Тюрин> // Вестник Пермского университета. Сер.: Математика. Механика. Информатика. - 2016. - Вып. 1 (32). - С. 34-39. - Библиогр.: с. 37-38 (24 назв.)
Рубрики: Вычислительная техника Системы памяти Кл.слова (ненормированные): базовые матричные кристаллы -- логические элементы -- транзисторы -- ячейки памяти Аннотация: Предлагается отказоустойчивая ячейка памяти SRAM с учетверением транзисторов - QSRAM и показывается предпочтительность такого технического решения по ряду показателей в сравнении с троированием. |