Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Ивченко В. А., Заглавие : Экспериментальное моделирование воздействия быстрых нейтронов на Pt пучками заряженных частиц Ar{+} / В. А. Ивченко Коллективы : Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург) Место публикации : Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 1. - С. С. 80-87: ил. - ISSN 0320-0116 Примечания : Библиогр.: с. 87 (4 назв.) УДК : 537.533/.534 ББК : 22.338. Таблицы для массовых библиотек Предметные рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пучки заряженных частиц--экспериментальное моделирование--быстрые нейтроны--радиационные дефекты--поверхности--приповерхностные зоны--платина--нейтронные взаимодействия--полевая ионная микроскопия--ионное облучение--облученные поверхности--радиационные повреждения--структура повреждений Аннотация: Проведено изучение радиационных дефектов на атомно-чистой поверхности и в приповерхностном объеме платины, инициированных нейтронным взаимодействием (E больше 0. 1 MeV) и пучками заряженных частиц Ar{+} (E равно 30 keV), методами полевой ионной микроскопии. Показано, что взаимодействие быстрых нейтронов (E больше 0. 1 MeV) F равно 6. 7 · 10{21} m{-2}, F равно 3. 5 · 10{22} m{-2} с веществом приводит к образованию в объеме платины таких же радиационных повреждений, какие возникают после ионного облучения пучками заряженных ионов Ar{+} с E равно 30 keV, F равно 10{16} ion/cm{2} и наблюдаются в Pt на глубине около 1. 5-2 nm (соответственно F равно 6. 7 · 10{21} m{-2} и F равно 3. 5 · 10{22} m{-2}) от облученной поверхности. В результате экспериментально смоделировано воздействие нейтронного облучения пучками заряженных ионов на основании возникновения определенной структуры радиационных повреждений в материале. Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург); Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург)