Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Рожавская М. М., Лундин В. В., Сахаров А. В., Заглавие : Синтез светодиодной структуры на гранях (11V bar01620) и (0001) мезаполосков, выращенных методом селективной эпитаксии / М. М. Рожавская, В. В. Лундин, А. В. Сахаров Коллективы : Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) Место публикации : Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 1. - С. С. 37-42: ил. - ISSN 0320-0116 Примечания : Библиогр.: с. 42 (5 назв.) УДК : 536.22/.23 ББК : 22.365. Таблицы для массовых библиотек Предметные рубрики: Физика Газы и жидкости Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): светодиодные устройства--светодиодные структуры--синтез--мезополоски--метод селективной эпитаксии--мезаполосковые структуры--прямоугольные сечения--квантовые ямы--светодиоды--селективная эпитаксия Аннотация: Исследовано влияние типа несущего газа на характер формирования слоев p-GaN на гранях (0001), (1120) и (1122) мезаполосковой структуры, сформированной с использованием метода селективной эпитаксии. На гранях (0001) и (1120) мезаполосковой структуры прямоугольного сечения сформирована светодиодная структура с активной областью на основе квантовых ям InGaN/GaN. Созданы прототипы светодиодов на свободных полосках GaN, отделенных от подложки. Держатели документа: ГПНТБ России Доп.точки доступа: Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)