539.21:537 Рамазанов, Ш. М. Релаксирующие слои карбида кремния на кремниевой подложке, выращенные магнетронным распылением [Текст] / Ш. М. Рамазанов, Г. М. Рамазанов // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 1. - С. 88-94 : ил. - Библиогр.: с. 94 (13 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные слои -- магнетронное распыление -- карбид кремния -- политипы -- подложки -- структурные соотношения -- метод рентгеновской дифракции -- комбинированное рассеяние света -- атомно-силовая микроскопия -- кристаллические структуры -- морфология поверхностей -- гетероструктуры -- пленки -- ионизированные частицы Аннотация: Магнетронным распылением получены эпитаксиальные слои карбида кремния 3C-политипа на подложках Si (111) структурного совершенства с omega[theta] равно 1. 4 °. Методами рентгеновской дифракции, комбинационного рассеивания света и атомно-силовой микроскопии исследована кристаллическая структура и морфология поверхностей 3C-SiC/Si (111) гетероструктур в зависимости от толщины пленок. Замечено, что при магнетронном распылении дополнительная энергия ионизированных частиц, привносимая к подложке Si (111), способствует формированию сильных C-C и beta-SiC связей, что затрудняет пересечение границы зерен дислокациями с увеличением времени роста. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/01/p88-94.pdf Держатели документа: ГПНТБ России |